Bộ lọc thông dải băng tần kép dựa trên công nghệ ống dẫn sóng tích hợp

Bộ lọc thông dải băng tần kép dựa trên công nghệ ống dẫn sóng tích hợp

Bộ lọc thông dải băng tần kép dựa trên công nghệ ống dẫn sóng tích hợp

13:48 - 08/01/2024

Bộ lọc thông dải băng tần kép trên đế RO4003C với thiết kế đơn giản, tiết kiệm chi phí và cho phép điều chỉnh linh hoạt tham số từng dải cho qua. Đây là kết quả nghiên cứu hợp tác giữa Viện IMC và các đối tác.

Chủ tịch VUSTA Phan Xuân Dũng dự khai mạc Triển lãm quốc tế đô thị thông minh châu Á
CẤU TRÚC NANO METALENS CÓ THỂ THƯƠNG MẠI HÓA VỚI CHI PHÍ THẤP?
KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU HỢP TÁC GIỮA IMC VÀ ĐẠI HỌC MỞ HÀ NỘI VỀ GIẢI PHÁP PHÁT HIỆN BẤT THƯỜNG MẠNG
Tòa nhà chọc trời siêu nhỏ?
Như thế nào là sạch?

 

Được công bố trên tạp chí "Journal of Engineering Science and Technology Review" số ra mới nhất, bài báo "A Wide Passband Ratio and Low-Complexity X-Band SIW Dual-Band Bandpass Filter" là kết quả hợp tác nghiên cứu giữa Trung tâm Kỹ thuật Điện-Điện tử/Viện IMC, Khoa Điện-Điện tử/Trường Đại học Mở Hà Nội và Viện CNTT/Viện Hàn lâm Khoa học và Công nghệ Việt Nam.

Bài báo này trình bày bộ lọc thông dải băng tần kép (BPF) hoạt động ở tần số 9,5 GHz và 11 GHz sử dụng công nghệ ống dẫn sóng tích hợp (SIW). Bộ lọc được thiết kế dựa trên cấu trúc ăng ten song công (RF diplexer) cho phép điều khiển linh hoạt khoảng cách của hai băng thông. Bằng cách thiết kế cẩn thận các khoang đầu vào/đầu ra, khoảng cách giữa hai băng thông có thể được điều chỉnh tự do. Ngoài ra, nhờ thiết kế từng khoang nhánh nên hiệu suất của từng dải có thể được điều chỉnh dễ dàng. Bộ lọc được thiết kế trên đế vật liệu RO4003C tiết kiệm chi phí và được mô phỏng bằng trình mô phỏng CST Microware Studio 2019 dựa trên phân tích miền thời gian. Suy hao chèn mô phỏng ở 9,5 GHz và 11 GHz lần lượt là 2,0 và 1,9 dB trong khi suy hao phản hồi ở hai tần số trung tâm này lần lượt là -15,7 dB và 32,8 dB. Băng thông phân đoạn của suy hao chèn 1 dB là 3,7 % và 3,6 % ở hai băng thông. Tổng kích thước của bộ lọc chỉ là 2,4 x 3,5 mm2Chi tiết tham khảo tại:

Van Dung Tran, Van Son Nguyen, Xuan Phuc Dao, Thi Hanh Quach, Thanh Trung Vu, The Hoang Nguyen, Van Ba Nguyen and Hai Anh Ngo/Journal of Engineering Science and Technology Review 16 (6) (2023) 131 - 134. DOI: 10.25103/jestr.166.16